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昆山废水处理设备,电子行业废水处理设备.
  
  昆山废水处理设备,电子行业废水处理设备.
  
  【刘荣荣18151073819】
    1.一种高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
    a)收集无机废水,将无机废水送入无机调节池,无机调节池调节出水量,无机调节池的出水进入第一物化反应
  池,加入强酸或者强碱调节PH值,将调节好的PH值记为第一PH值,加入氯化钙,第一物化反应池的出水进入絮凝池,加入混凝剂和絮凝剂,使无机废水中的重金属离子及重金属化合物发生化学反应沉淀;絮凝池的出水进入第一高效澄清器进行泥水分离,去除沉淀后的氟化物、重金属离子及重金属化合物;
    收集有机废水,将有机废水送入有机调节池,有机调节池调节出水量,有机调节池的出水进入第二物化反应池,加入强酸或者强碱调节PH值,将调节好的PH值记为第二PH值,加入混凝剂和絮凝剂,第二物化反应池的出水进入第二高效澄清器进行泥水分离;
    b)将所述第一高效澄清器和所述第二高效澄清器的出水排入水解酸化厌氧池中混合,所述水解酸化厌氧池中设有悬挂式塑料生物填料,经过水解酸化厌氧生物处理工艺,将废水中难降解的有机大分子转化为易降解的有机小分子,出水经过好氧池和缺氧池处理后去除有机物、总氮、氨氮;
    c)将去除有机物、总氮和氨氮后的废水排入膜生物反应池中处理;
    d)将膜生物反应池的出水排入活性炭过滤器,进行过滤和反冲洗处理,出水经过紫外线杀菌消毒,加入阻垢剂和还原剂,调节PH值后排入精密过滤器中进行过滤;
    e)将精密过滤器的出水排入RO反渗透膜分离装置处理,形成中水。
    2.如权利要求1所述的高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,其特征在于:步骤a)中所述第一PH值为8.5,所述第二PH值为8,所述混凝剂包括聚合氯化铝,所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺,所述强碱包括氢氧化钠,所述强酸包括硫酸。
    3.如权利要求1所述的高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,其特征在于:步骤b)中所述水解酸化厌氧池内设有用于使所述膜生物反应池内的污泥回流的水下潜水搅拌机。
    4.如权利要求1所述的高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,其特征在于:步骤b)中所述好氧池包括一级好氧池和二级好氧池,所述缺氧池包括一级缺氧池和二级缺氧池,所述水解酸化厌氧池的出水依次经过所述一级缺氧池、一级好氧池、二级缺氧池和二级好氧池进行处理;一级缺氧池水力停留时间为7小时,一级缺氧池中的反硝化负荷为0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d,污泥 浓度为4500mg/L;一级好氧池水力停留时间为15小时,污泥负荷为0.194kgBOD5/kgMLSS.d,污泥浓度为5500mg/L,气水比为23:1;二级缺氧池水力停留时间为4.8小时,反硝化负荷为0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d,污泥浓度为4500mg/L;二级好氧池水力停留时间为12小时,污泥负荷为0.06kgBOD5/kgMLSS.d,污泥浓度为6500mg/L,污泥龄为35天,气水比为10:1。
    5.如权利要求3所述的高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,其特征在于:步骤c)中所述膜生物反应池内设有膜体,所述膜体包括中空纤维PVDF膜,所述中空纤维PVDF膜的膜孔径为0.1微米,平均膜通量为18.3LMH,所述膜生物反应池中的活性污泥浓度为6000-12000mg/L,溶解氧为2mg/L,所述膜生物反应池的污泥浓度为8000mg/L,污泥回流比为400%,混合液回流比为200%。
    6.如权利要求1所述的高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,其特征在于:步骤d)中所述活性炭过滤器底层设置石英砂垫层和反冲洗装置,所述活性炭过滤器内部还设有活性炭,所述活性炭为煤质炭或椰壳炭;所述精密过滤器的过滤孔径为5微米。
    7.如权利要求1所述的高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,其特征在于:步骤e)中所述RO反渗透膜分离装置包括反渗透膜,所述反渗透膜的膜通量不大于18LMH。
    说明书
    高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法
    技术领域
    本发明涉及液晶电子工业废水深度处理技术领域,尤其涉及一种高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法。
    背景技术
    液晶电子工业行业是重污染行业,其生产工艺过程复杂,涉及到种类繁多的化学品,各工序产生的工艺废水、废液种类比较多,污水成分复杂,液晶电子废水包括无机废水和有机废水,无机废水中的主要污染物为氟化物、重金属铜离子、磷酸盐等,有机废水中的主要污染物为有机氮、有机硫、高分子等难生物降解物质,还含有一定浓度的季铵盐、TMAH(四甲基氢氧化铵)等对微生物有强烈抑制作用或优良杀菌性能的物质,其COD(化学需氧量)、氨氮和总氮浓度高,pH波动范围大。
    目前针对液晶电子废水深度处理技术有化学混凝沉淀法、生物接触氧化法、离子交换吸附法、膜分离法、臭氧活性炭法等,随着国家新环保法出台,对企业排放废水水质的要求越来越高,为了减少污染物排放总量,节约水资源,终端出水要求回用,回用水质要达到《地表水环境质量标准》(GB3838-2002)Ⅳ类水标准,企业按照原有的常规处理工艺,难以达到高标准中水回用标准,急需开发出技术上可行,经济上高效组合的深度处理工艺。
    因此,有必要提供一种新的废水处理方法来解决上述问题。
    发明内容
    本发明的目的在于提供一种能够将液晶电子废水转换成达标的中水的高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法。
    为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案如下:
    一种高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法,包括以下步骤:
    a)收集无机废水,将无机废水送入无机调节池,无机调节池调节出水量,无机调节池的出水进入第一物化反应池,加入强酸或者强碱调节PH值,将调节好的PH值记为第一PH值,加入氯化钙,第一物化反应池的出水进入絮凝池,加入混凝剂和絮凝剂,使无机废水中的重金属离子及重金属化合物发生化学反应沉淀;絮凝池的出水进入第一高效澄清器进行泥水分离,去除沉淀后的氟化物、重金属离子及重金属化合物;
    收集有机废水,将有机废水送入有机调节池,有机调节池调节出水量,有 机调节池的出水进入第二物化反应池,加入强酸或者强碱调节PH值,将调节好的PH值记为第二PH值,加入混凝剂和絮凝剂,第二物化反应池的出水进入第二高效澄清器进行泥水分离;
    b)将所述第一高效澄清器和所述第二高效澄清器的出水排入水解酸化厌氧池中混合,所述水解酸化厌氧池中设有悬挂式塑料生物填料,经过水解酸化厌氧生物处理工艺,将废水中难降解的有机大分子转化为易降解的有机小分子,出水经过好氧池和缺氧池处理后去除有机物、总氮、氨氮;
    c)将去除有机物、总氮和氨氮后的废水排入膜生物反应池中处理;
    d)将膜生物反应池的出水排入活性炭过滤器,进行过滤和反冲洗处理,出水经过紫外线杀菌消毒,加入阻垢剂和还原剂,调节PH值后排入精密过滤器中进行过滤;
    e)将精密过滤器的出水排入RO反渗透膜分离装置处理,形成中水。
    优选的,步骤a)中所述第一PH值为8.5,所述第二PH值为8,所述混凝剂包括聚合氯化铝,所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺,所述强碱包括氢氧化钠,所述强酸包括硫酸。
    优选的,步骤b)中所述水解酸化厌氧池内设有用于使所述膜生物反应池内的污泥回流的水下潜水搅拌机。
    优选的,步骤b)中所述好氧池包括一级好氧池和二级好氧池,所述缺氧池包括一级缺氧池和二级缺氧池,所述水解酸化厌氧池的出水依次经过所述一级缺氧池、一级好氧池、二级缺氧池和二级好氧池进行处理;一级缺氧池水力停留时间为7小时,一级缺氧池中的反硝化负荷为0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d,污泥浓度为4500mg/L;一级好氧池水力停留时间为15小时,污泥负荷为0.194kgBOD5/kgMLSS.d,污泥浓度为5500mg/L,气水比为23:1;二级缺氧池水力停留时间为4.8小时,反硝化负荷为0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d,污泥浓度为4500mg/L;二级好氧池水力停留时间为12小时,污泥负荷为0.06kgBOD5/kgMLSS.d,污泥浓度为6500mg/L,污泥龄为35d(天),气水比为10:1。
    优选的,步骤c)中所述膜生物反应池内设有膜体,所述膜体包括中空纤维PVDF膜,所述中空纤维PVDF膜的膜孔径为0.1微米,平均膜通量为18.3LMH,所述膜生物反应池中的活性污泥浓度为6000-12000mg/L,溶解氧为2mg/L,所述膜生物反应池的污泥浓度为8000mg/L,污泥回流比为400%,混合液回流比为200%。
    优选的,步骤d)中所述活性炭过滤器底层设置石英砂垫层和反冲洗装置,所述活性炭过滤器内部还设有活性炭,所述活性炭为煤质炭或椰壳炭;所述精 密过滤器的过滤孔径为5微米。
    优选的,步骤e)中所述RO反渗透膜分离装置包括反渗透膜,所述反渗透膜的膜通量不大于18LMH。
    与现有技术相比,本发明高浓度难降解液晶电子工业废水的深度处理方法的有益效果在于:本发明将废水经过化学沉淀、水解酸化厌氧处理、二级缺氧好氧生化处理、膜生物反应处理、RO膜反渗透处理高效组合,使废水形成中水进行回用或达标排放;本发明对废水适应性强,经济性好,处理成本较低,占地面积少,便于工程应用及推广。
  材质;碳钢
  运行方式;全自动
  产地;苏州
  发货时间;7天
  过期时间;长期
  计量方式;套
标签: 纯水设备 超纯水设备 废水设备
参考:
时间: 2019-04-19
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